Home » Thông tin công nghệ » WD và Toshiba công bố 3D NAND BiCS4 96 lớp, mở đường cho ổ SSD dung lượng hàng trăm TB

WD và Toshiba công bố 3D NAND BiCS4 96 lớp, mở đường cho ổ SSD dung lượng hàng trăm TB

Thứ Bảy, 1 tháng 7, 2017

Western Digital (WD) và Toshiba đang đầu từ vào một nhà máy sản xuất chip nhớ tại Nhật và mặc cho vụ kiện tụng liên quan đến việc Toshiba rao bán mảng chip nhớ thì cả 2 vẫn cùng nhau phát triển thế hệ thứ 4 của công nghệ bộ nhớ 3D NAND Bit Cost Scaling hay BiCS4 với 96 lớp, so với BiCS3 là 64 lớp, tăng thêm 40% dung lượng lưu trữ trên các sản phẩm dùng chuẩn NAND mới này.

WD và Toshiba công bố 3D NAND BiCS4 96 lớp, mở đường cho ổ SSD dung lượng hàng trăm TB

3D NAND hiện là công nghệ phổ biến được các nhà sản xuất bộ nhớ sử dụng để tăng dung lượng ổ thể rắn (SSD) hay bộ nhớ flash tích hợp. Bằng cách xếp các lớp lưu trữ dữ liệu theo chiều dọc, diện tích của bộ nhớ 3D NAND trên bo mạch được giảm đi đáng kể, cho phép sử dụng nhiều chip nhớ hơn trên cùng một form ổ hay một diện tích quy định trên bo mạch. WD là nhà sản xuất đầu tiên công bố thế hệ BiCS3 và lần này tiếp tục với BiCS4, mở đường cho thế hệ ổ SSD dung lượng lớn hơn trong tương lai.

Ngoài 96 lớp lưu trữ dữ liệu, công nghệ 3D NAND BiCS4 có nhiều thiết lập dung lượng hơn với các đế chip có dung lượng từ 256 Gb đến 1 Tb, TLC (Triple level cell) hoặc QLC (Quadruple level cell).

Điểm đáng chú ý nhất là việc khai thác QLC NAND, một công nghệ lưu trữ mà WD (SanDisk trước đây) đã ấp ủ từ nhiều năm. Để lưu 4 bit dữ liệu trên một cell với 16 trạng thái điện áp, WD phải sử dụng một tiến trình sản xuất "dày" hơn kết hợp với 3D NAND đa lớp để giảm chi phí lưu trữ mỗi bit xuống. Công ty không nói rõ về số chu kỳ ghi/xóa mà mỗi bộ nhớ 3D QLC NAND có thể thực hiện nhưng các chuyên gia trong ngành công nghiệp bộ nhớ dự đoán rằng số chu kỳ này sẽ vào khoảng từ 100 đến 150, như vậy sẽ thấp hơn rất nhiều so với xấp xỉ 1000 chu kỳ với công nghệ TLC NAND.

Với độ bền không cao thì dự kiến 3D QLC NAND sẽ được sử dụng chủ yếu trên các loại bộ nhớ di động tháo nóng (USB) cũng như các ổ cứng dung lượng cực lớn dành cho các trung tâm dữ liệu với đặc thù hoạt động kiểu WORM (Write Once Read Many) tức là ghi chỉ một lần mà đọc rất nhiều lần. Thông tin này rất có cơ sở bởi năm ngoái Toshiba đã từng thảo luận về loại SSD dùng công nghệ QLC NAND với dung lượng đến 100 TB dành cho nhu cầu hoạt động kiểu WORM.

WD đã lên kế hoạch sản xuất thử nghiệm chip nhớ 3D NAND BiCS4 96 lớp theo nhiều thiết lập vào nửa cuối năm nay. Dự kiến hoạt động sản xuất hàng loạt sẽ bắt đầu vào năm 2018, trước tiên với đế chip 256 Gb. Những đế chip dung lượng lớn hơn và phức tạp hơn dùng công nghệ BiCS4 sẽ được sản xuất sau đó từ giai đoạn 2018 đến 2019 trước khi WD ra mắt BiCS5 vào năm 2020. Đối với chip nhớ dùng công nghệ 3D NAND BiCS3 64 lớp thì WD cho biết chúng sẽ tiếp tục được sản xuất và năm 2017 sẽ là năm mà Toshiba sẽ sản xuất loại bộ nhớ này nhiều nhất từ trước đến nay.

Siva Sivaram - chủ tịch điều hành mảng sản xuất bộ nhớ của WD cho biết: "BiCS4 sẽ được sản xuất theo các kiến trúc 3 bit/cell và 4 bit/cell và những chip nhớ này sẽ sở hữu những cải tiến về công nghệ và tiến trình sản xuất mới nhất nhằm mang lại dung lượng lưu trữ cao, hiệu năng và độ tin cậy cao nhất đối với công nghệ 3D NAND nhưng vẫn giữ được mức giá hấp dẫn. Danh mục sản phẩm 3D NAND của WD hướng đến toàn bộ các phân khúc thị trường từ tiêu dùng, di động cho đến điện toán và trung tâm dữ liệu."

Chia sẻ bài viết

Bài liên quan